FGH60N6S2
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FGH60N6S2中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 600 V
额定电流 75.0 A
耗散功率 625000 mW
上升时间 15.0 ns
击穿电压集电极-发射极 600 V
额定功率Max 625 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 625000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
外形尺寸
高度 20.82 mm
封装 TO-247-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
FGH60N6S2引脚图与封装图
暂无图片
在线购买FGH60N6S2
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FGH60N6S2 | Fairchild 飞兆/仙童 | 600V ，开关电源II系列N沟道IGBT 600V, SMPS II Series N-Channel IGBT | 搜索库存 |
替代型号FGH60N6S2
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FGH60N6S2 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-247 600V 75A 625000mW | 当前型号 | 600V ，开关电源II系列N沟道IGBT 600V, SMPS II Series N-Channel IGBT | 当前型号 |
| 型号： FGK60N6S2D 品牌： 飞兆/仙童 封装： | 类似代替 | 600V ，开关电源II系列N沟道IGBT与反并联二极管StealthTM 600V, SMPS II Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel StealthTM Diode | FGH60N6S2和FGK60N6S2D的区别 |