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FGA50N100BNTTU

FGA50N100BNTTU

数据手册.pdf
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件

1000V , 50A NPT- IGBT沟槽CO- PAK 1000V, 50A NPT-Trench IGBT CO-PAK

IGBT NPT and Trench 1kV 50A 156W Through Hole TO-3P


得捷:
IGBT, 50A, 1000V, N-CHANNEL


艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 1KV 50A 3-Pin3+Tab TO-3PN Tube


Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 1KV 50A 3-Pin3+Tab TO-3PN Tube


FGA50N100BNTTU中文资料参数规格
技术参数

击穿电压集电极-发射极 1000 V

额定功率Max 156 W

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-3-3

外形尺寸

封装 TO-3-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

FGA50N100BNTTU引脚图与封装图
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