FGA50N100BNTDTU
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FGA50N100BNTDTU中文资料参数规格
技术参数
额定功率 156 W
耗散功率 156000 mW
击穿电压集电极-发射极 1000 V
反向恢复时间 1.5 µs
额定功率Max 156 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 63 W
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-3-3
外形尺寸
长度 15.8 mm
宽度 5 mm
高度 20.1 mm
封装 TO-3-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
FGA50N100BNTDTU引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FGA50N100BNTDTU | Fairchild 飞兆/仙童 | IGBT 分立，Fairchild Semiconductor ### IGBT 分立件和模块，Fairchild Semiconductor 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。 | 搜索库存 |