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FGA20S140P

FGA20S140P

数据手册.pdf
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件

IGBT 分立,Fairchild Semiconductor### IGBT 分立件和模块,Fairchild Semiconductor绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。

IGBT Trench Field Stop 1.4kV 40A 272W Through Hole TO-3PN


得捷:
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO


欧时:
### IGBT 分立,Fairchild Semiconductor### IGBT 分立件和模块,Fairchild Semiconductor绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。


艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 1.4KV 40A 3-Pin3+Tab TO-3PN Tube


安富利:
Trans IGBT Chip N-CH 1.4KV 40A 3-Pin3+Tab TO-3PN T/R


富昌:
1400V 20A TO-3PN Shorted Anode IGBT


DeviceMart:
IGBT 1400V 40A 272W TO-3PN


FGA20S140P中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 272000 mW

击穿电压集电极-发射极 1400 V

额定功率Max 272 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 272 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-3-3

外形尺寸

长度 15.8 mm

宽度 5 mm

高度 20.1 mm

封装 TO-3-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

FGA20S140P引脚图与封装图
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FGA20S140P Fairchild 飞兆/仙童 IGBT 分立,Fairchild Semiconductor ### IGBT 分立件和模块,Fairchild Semiconductor 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。 搜索库存