FGA25N120ANTDTU_F109
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FGA25N120ANTDTU_F109中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 312000 mW
击穿电压集电极-发射极 1200 V
反向恢复时间 350 ns
额定功率Max 312 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 312000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-3-3
外形尺寸
高度 18.9 mm
封装 TO-3-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
FGA25N120ANTDTU_F109引脚图与封装图
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在线购买FGA25N120ANTDTU_F109
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FGA25N120ANTDTU_F109 | Fairchild 飞兆/仙童 | Trans IGBT Chip N-CH 1.2kV 50A 3Pin3+Tab TO-3PN Tube | 搜索库存 |
替代型号FGA25N120ANTDTU_F109
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FGA25N120ANTDTU_F109 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-3P-3 312000mW | 当前型号 | Trans IGBT Chip N-CH 1.2kV 50A 3Pin3+Tab TO-3PN Tube | 当前型号 |
| 型号： FGA25N120ANTDTU 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-3P-3 1.2kV 50A 312000mW | 类似代替 | IGBT、1000V 及以上，Fairchild Semiconductor### IGBT 分立件和模块，Fairchild Semiconductor绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。 | FGA25N120ANTDTU_F109和FGA25N120ANTDTU的区别 |