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FGB40N60SM

FGB40N60SM

数据手册.pdf
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件

IGBT,Fairchild Semiconductor### IGBT 分立件和模块,Fairchild Semiconductor绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。

IGBT Field Stop 600 V 80 A 349 W Surface Mount D²PAK TO-263


得捷:
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO


艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


安富利:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


Verical:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 349000mW 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


罗切斯特:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


Win Source:
IGBT 600V 80A 349W D2PAK


DeviceMart:
IGBT NPT 600V 80A D2PAK


FGB40N60SM中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 349 W

击穿电压集电极-发射极 600 V

额定功率Max 349 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 349 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.67 mm

宽度 9.65 mm

高度 4.83 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

FGB40N60SM引脚图与封装图
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FGB40N60SM Fairchild 飞兆/仙童 IGBT,Fairchild Semiconductor ### IGBT 分立件和模块,Fairchild Semiconductor 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。 搜索库存