FGB3040G2_F085
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FGB3040G2_F085中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 150000 mW
击穿电压集电极-发射极 400 V
额定功率Max 150 W
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 150 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
外形尺寸
长度 10.67 mm
宽度 9.65 mm
高度 4.83 mm
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
FGB3040G2_F085引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FGB3040G2_F085 | Fairchild 飞兆/仙童 | IGBT，Fairchild Semiconductor 这些** EcoSPARK2** IGBT 设备经过优化，可用于驱动汽车点火线圈。 它们经过应力测试，符合 AEC-Q101 标准。 逻辑电平栅极驱动 ESD 保护 应用：汽车点火线圈驱动器电路、线圈式火花塞应用。 **RS 产品代码：** 864-8802 FGB3040CS 400V 20A D2PAK 864-8805 FGB3040G2_F085 400V 25A DPAK-2 807-0767 FGD3040G2_F085 400V 25A DPAK 807-0776 FGD3440G2_F085 400V 25A DPAK 864-8818 FGB3440G2_F085 400V 25A D2PAK-2 864-8893 FGP3440G2_F085 400V 25A TO220 864-8880 FGI3040G2_F085 400V 25A I2PAK 864-8899 FGP3040G2_F085 400V 25A TO220 864-8827 FGD3245G2_F085 450V 23A DPAK 864-8809 FGB3245G2_F085 450V 23A D2PAK-2 ### 注 所述电流额定值在接点温度 Tc = +110°C 时适用。 ### 标准 AEC-Q101 ### IGBT 分立件和模块，Fairchild Semiconductor 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。 | 搜索库存 |