针脚数 3
耗散功率 290 W
击穿电压集电极-发射极 600 V
反向恢复时间 61 ns
额定功率Max 290 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 290 W
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
长度 15.6 mm
宽度 4.7 mm
高度 20.6 mm
封装 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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FGH80N60FD2TU | Fairchild 飞兆/仙童 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FGH80N60FD2TU 单晶体管, IGBT, 通用, 80 A, 600 V, 290 W, 600 V, TO-247AD, 3 引脚 | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: FGH80N60FD2TU 品牌: Fairchild 飞兆/仙童 封装: TO-247AD 290000mW | 当前型号 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FGH80N60FD2TU 单晶体管, IGBT, 通用, 80 A, 600 V, 290 W, 600 V, TO-247AD, 3 引脚 | 当前型号 | |
型号: IKW50N60T 品牌: 英飞凌 封装: TO-247-3 333000mW | 功能相似 | IGBT 分立,Infineon**Infineon** 分散 IGBT 系列提供不同的技术,如 NPT、N 通道 TRENCHSTOPTM 和 Fieldstop。 它们可用于很多可能需要硬切换和软切换的应用。 这包括工业驱动器、UPS、逆变器、家用电器和感应烹饪。 有些设备可能具有防并联二极管或整体集成二极管。### IGBT 分立件和模块,Infineon绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。 | FGH80N60FD2TU和IKW50N60T的区别 | |
型号: STGW39NC60VD 品牌: 意法半导体 封装: TO-247 600V 40A 250000mW | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STGW39NC60VD 单晶体管, IGBT, 80 A, 2.5 V, 250 W, 600 V, TO-247, 3 引脚 | FGH80N60FD2TU和STGW39NC60VD的区别 | |
型号: STGY40NC60VD 品牌: 意法半导体 封装: TO-247-3 600V 50A 260000mW | 功能相似 | IGBT 分立,STMicroelectronics### IGBT 分立件和模块,STMicroelectronics绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。 | FGH80N60FD2TU和STGY40NC60VD的区别 |