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FGH20N60SFDTU

FGH20N60SFDTU

数据手册.pdf
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FGH20N60SFDTU  单晶体管, IGBT, 通用, 40 A, 600 V, 165 W, 600 V, TO-247AB, 3 引脚

分离式 IGBT, Semiconductor

### IGBT 分立件和模块,Fairchild Semiconductor

绝缘栅级双极性或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。


欧时:
### IGBT 分立,Fairchild Semiconductor### IGBT 分立件和模块,Fairchild Semiconductor绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。


艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 3-Pin3+Tab TO-247AB Tube


富昌:
FGH20N60SFD 系列 600 V 40 A 法兰安装 场截止 IGBT - TO-247


Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 3-Pin3+Tab TO-247AB Tube


Verical:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 165000mW 3-Pin3+Tab TO-247AB Rail


Newark:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FGH20N60SFDTU  IGBT Single Transistor, General Purpose, 40 A, 600 V, 165 W, 600 V, TO-247AB, 3 Pins


DeviceMart:
IGBT 600V 40A TO-247


FGH20N60SFDTU中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

耗散功率 165 W

上升时间 16 ns

击穿电压集电极-发射极 600 V

反向恢复时间 34 ns

额定功率Max 165 W

下降时间 28 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 165 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

长度 15.6 mm

宽度 4.7 mm

高度 20.6 mm

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

FGH20N60SFDTU引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
FGH20N60SFDTU Fairchild 飞兆/仙童 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FGH20N60SFDTU  单晶体管, IGBT, 通用, 40 A, 600 V, 165 W, 600 V, TO-247AB, 3 引脚 搜索库存
替代型号FGH20N60SFDTU
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: FGH20N60SFDTU

品牌: Fairchild 飞兆/仙童

封装: TO-247AB 165000mW

当前型号

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FGH20N60SFDTU  单晶体管, IGBT, 通用, 40 A, 600 V, 165 W, 600 V, TO-247AB, 3 引脚

当前型号

型号: IKW20N60T

品牌: 英飞凌

封装: TO-247-3

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