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FGH75N60UFTU

FGH75N60UFTU

数据手册.pdf
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FGH75N60UFTU  单晶体管, IGBT, 通用, 150 A, 600 V, 452 W, 600 V, TO-247AB, 3 引脚

分离式 IGBT, Semiconductor


欧时:
### IGBT 分立,Fairchild Semiconductor### IGBT 分立件和模块,Fairchild Semiconductor绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。


贸泽:
IGBT Transistors N-CH / 600V 75A FS Planar


艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 150A 3-Pin3+Tab TO-247AB Tube


安富利:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 150A 3-Pin3+Tab TO-247AB Tube


富昌:
FGH75N60 系列 600 V 75 A 27 ns 通孔 场截至 IGBT - TO-247-3


Verical:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 150A 452000mW 3-Pin3+Tab TO-247AB Rail


Newark:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FGH75N60UFTU  IGBT Single Transistor, General Purpose, 150 A, 600 V, 452 W, 600 V, TO-247AB, 3 Pins


Win Source:
IGBT 600V 150A 452W TO247


DeviceMart:
IGBT N-CH 600V 75A TO-247


FGH75N60UFTU中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

耗散功率 452 W

击穿电压集电极-发射极 600 V

额定功率Max 452 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 452 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

长度 15.6 mm

宽度 4.7 mm

高度 20.6 mm

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

FGH75N60UFTU引脚图与封装图
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