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FGH25N120FTDS

FGH25N120FTDS

数据手册.pdf
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件

IGBT、1000V 及以上,Fairchild Semiconductor### IGBT 分立件和模块,Fairchild Semiconductor绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。

分离式 IGBT、1000V 及以上, Semiconductor


欧时:
### IGBT 分立,Fairchild Semiconductor### IGBT 分立件和模块,Fairchild Semiconductor绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。


艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 50A 3-Pin3+Tab TO-3PN Tube


安富利:
Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 50A 3-Pin3+Tab TO-3PN Tube


Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 50A 3-Pin3+Tab TO-3PN Tube


Verical:
Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 50A 3-Pin3+Tab TO-3PN Tube


Win Source:
IGBT 1200V 50A 313W TO247


FGH25N120FTDS中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 313000 mW

击穿电压集电极-发射极 1200 V

反向恢复时间 535 ns

额定功率Max 313 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 313 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

长度 15.87 mm

宽度 4.82 mm

高度 20.82 mm

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

FGH25N120FTDS引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
FGH25N120FTDS Fairchild 飞兆/仙童 IGBT、1000V 及以上,Fairchild Semiconductor ### IGBT 分立件和模块,Fairchild Semiconductor 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。 搜索库存