FGA4060ADF

Fairchild 飞兆/仙童分立器件

IGBT 晶体管 650V FS Gen3 Trench IGBT proliferation

IGBT Trench Field Stop 600V 80A 238W Through Hole TO-3PN

得捷:
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

贸泽:
IGBT 晶体管 650V FS Gen3 Trench IGBT proliferation

艾睿:
IGBT Transistors 650V FS Gen3 Trench IGBT proliferation

Verical:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 238000mW 3-Pin3+Tab TO-3PN Rail

FGA4060ADF中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 238 W

击穿电压集电极-发射极 600 V

反向恢复时间 26 ns

额定功率Max 238 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-3-3

外形尺寸

高度 18.9 mm

封装 TO-3-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Rail

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

FGA4060ADF引脚图与封装图

暂无图片

在线购买FGA4060ADF

型号	制造商	描述	购买
FGA4060ADF	Fairchild 飞兆/仙童	IGBT 晶体管 650V FS Gen3 Trench IGBT proliferation	搜索库存