FGA3060ADF

Fairchild 飞兆/仙童分立器件

Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 3Pin TO-3PN Tube

IGBT Trench Field Stop 600V 60A 176W Through Hole TO-3PN

得捷:
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A Rail

安富利:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 3-Pin TO-3PN Tube

Verical:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 176000mW 3-Pin3+Tab TO-3PN Rail

Win Source:
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO / IGBT Trench Field Stop 600 V 60 A 176 W Through Hole TO-3PN

FGA3060ADF中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 176000 mW

击穿电压集电极-发射极 600 V

反向恢复时间 26 ns

额定功率Max 176 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 176000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-3-3

外形尺寸

高度 18.9 mm

封装 TO-3-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Rail

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

FGA3060ADF引脚图与封装图

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