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FZT649TA
Zetex 分立器件

NPN低饱和晶体管高电流增益

集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO| 35V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO| 25V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC| 3A 截止频率fTTranstion FrequencyfT| 150MHz 直流电流增益hFEDC Current GainhFE| 100~300 管压降VCE(sat)Collector-Emitter Saturation Voltage| 600mV/0.6V 耗散功率PcPower Dissipation| 2W Description & Applications| NPN Low Saturation Transistor high current gain 描述与应用| NPN低饱和 高电流增益

FZT649TA中文资料参数规格
技术参数

最大电流放大倍数hFE 70

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-223

外形尺寸

封装 SOT-223

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 PB free

海关信息

香港进出口证 NLR

FZT649TA引脚图与封装图
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