EMD6FHAT2R

ROHM Semiconductor 罗姆半导体电子元器件分类

晶体管双极预偏置/数字, NPN和PNP执行, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm

晶体管 - 双极 BJT - 阵列 - 预偏置 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） 50V 100mA 250MHz 150mW 表面贴装型 EMT6

得捷:
PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR CORR

e络盟:
晶体管双极预偏置/数字, NPN和PNP执行, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm

艾睿:
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW Automotive 6-Pin EMT T/R

EMD6FHAT2R中文资料参数规格

技术参数

额定功率 0.15 W

极性 NPN+PNP

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 100 @1mA, 5V

额定功率Max 150 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

增益带宽 250 MHz

耗散功率Max 150 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-563

外形尺寸

封装 SOT-563

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

EMD6FHAT2R引脚图与封装图

暂无图片

在线购买EMD6FHAT2R

型号	制造商	描述	购买
EMD6FHAT2R	ROHM Semiconductor 罗姆半导体	晶体管双极预偏置/数字, NPN和PNP执行, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm	搜索库存