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EMB19
ROHM Semiconductor 罗姆半导体 电子元器件分类

EMB19 PNP+PNP复合带阻尼三极管 -50V -30mA 150mW/0.15W SOT-563/EMT6 标记B19 开关电路 逆变器 接口电路 驱动电路

集电极-基极反向击穿电压VBRCBO Collector-Base VoltageVCBO | -50V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEO Collector-Emitter VoltageVCEO | -50V 集电极连续输出电流IC Collector CurrentIC | -30MA 基极输入电阻R1 Input ResistanceR1 | 100KΩ 基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter ResistanceR2 | 100KΩ 基极与基极-发射极输入电阻比R1/R2 Base-Emitter Input Resistance RatioR1/R2 | 1 直流电流增益hFE DC Current GainhFE | 截止频率fT Transtion FrequencyfT | 250MHZ 耗散功率Pc Power Dissipation | 0.15W 描述与应用 Description & Applications | 1 双 DTA115E 2)双硅PNP晶体管每个都有两个内置电阻 技术文档PDF下载 | 在线阅读

EMB19中文资料参数规格
技术参数

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 20mA

封装参数

封装 SOT-563

外形尺寸

封装 SOT-563

EMB19引脚图与封装图
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EMB19 ROHM Semiconductor 罗姆半导体 EMB19 PNP+PNP复合带阻尼三极管 -50V -30mA 150mW/0.15W SOT-563/EMT6 标记B19 开关电路 逆变器 接口电路 驱动电路 搜索库存