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EMZ1
ROHM Semiconductor 罗姆半导体 电子元器件分类

EMZ1 NPN+PNP复合三极管 60V/-60V 150mA/-150mA 120~560 SOT-563/EMT6 标记Z1 用于开关/数字电路

集电极-基极反向击穿电压VBRCBO Collector-Base VoltageVCBO Q1/Q2 | 60V/-60V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEO Collector-Emitter VoltageVCEO Q1/Q2 | 50V/-50V 集电极连续输出电流IC Collector CurrentIC Q1/Q2 | 150mA/-150mA 截止频率fT Transtion FrequencyfT Q1/Q2 | 180MHz/140MHz 直流电流增益hFE DC Current GainhFE Q1/Q2 | 120~560/120~560 管压降VCE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage Q1/Q2 | 400mV/-500mV 耗散功率Pc Power Dissipation Q1/Q2 | 150mW/0.15W Description & Applications | Features • General purpose transistor dual transistors • Both a 2SA1037AK chip and 2SC2412K chip in a EMT or UMT or SMT package. • Mounting possible with EMT3 or UMT3 or SMT3 automatic mounting machines. • Transistor elements are independent, eliminating interference. • Mounting cost and area can be cut in half. 描述与应用 | 特点 •通用晶体管(双晶体管) •一个2SA1037AK芯片和2SC2412K芯片在EMT或UMT或SMT封装。 •安装可能与EMT3或UMT3或SMT3自动安装机器。 •晶体管元素是独立的,消除干扰。 •安装成本和面积可减少一半。

EMZ1中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN+PNP

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 0.15A

最小电流放大倍数hFE 120

封装参数

封装 SOT-563

外形尺寸

封装 SOT-563

其他

最小包装 8000

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

EMZ1引脚图与封装图
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EMZ1 ROHM Semiconductor 罗姆半导体 EMZ1 NPN+PNP复合三极管 60V/-60V 150mA/-150mA 120~560 SOT-563/EMT6 标记Z1 用于开关/数字电路 搜索库存