EMH11FHAT2R

ROHM Semiconductor 罗姆半导体分立器件

ROHM EMH11FHAT2R 双极晶体管阵列, AEC-Q101, 双NPN, 50 V, 150 mW, 100 mA, 30 hFE, SOT-563

* AEC-Q101合规

得捷:
NPN+NPN DIGITAL TRANSISTOR CORR

贸泽:
ROHM Semiconductor

e络盟:
晶体管双极预偏置/数字, AEC-Q101, 双路 NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm

艾睿:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW Automotive 6-Pin EMT T/R

Newark:
# ROHM EMH11FHAT2R TRANS, DUAL NPN, 50V, SOT-563

EMH11FHAT2R中文资料参数规格

技术参数

额定功率 0.15 W

输出电压 100 mV

极性 NPN

耗散功率 150 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 30 @5mA, 5V

额定功率Max 150 mW

直流电流增益hFE 30

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

增益带宽 250 MHz

耗散功率Max 150 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-563-6

外形尺寸

封装 SOT-563-6

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用车用, Automotive

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

EMH11FHAT2R引脚图与封装图

EMH11FHAT2R引脚图

EMH11FHAT2R封装图

EMH11FHAT2R封装焊盘图

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