EMX1FHAT2R
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ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
EMX1FHAT2R中文资料参数规格
技术参数
额定功率 0.15 W
针脚数 6
极性 NPN
耗散功率 150 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
最小电流放大倍数hFE 120 @1mA, 6V
最大电流放大倍数hFE 560
额定功率Max 150 mW
直流电流增益hFE 120
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 150 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-563-6
外形尺寸
封装 SOT-563-6
物理参数
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Automotive, 车用
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
海关信息
ECCN代码 EAR99
EMX1FHAT2R引脚图与封装图 
EMX1FHAT2R引脚图
EMX1FHAT2R封装图
EMX1FHAT2R封装焊盘图
在线购买EMX1FHAT2R
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| EMX1FHAT2R | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | ROHM EMX1FHAT2R 双极晶体管阵列, AEC-Q101, 双NPN, 50 V, 150 mW, 150 mA, 120 hFE, SOT-563 | 搜索库存 |