EM6K33T2R
数据手册.pdf
ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
EM6K33T2R中文资料参数规格
技术参数
通道数 2
极性 N-CH
耗散功率 0.15 W
阈值电压 300 mV, 300 mV
漏源极电压Vds 50 V
连续漏极电流Ids 0.2A
上升时间 6 ns
输入电容Ciss 25pF @10VVds
额定功率Max 150 mW
下降时间 55 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 150 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-563-6
外形尺寸
封装 SOT-563-6
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
EM6K33T2R引脚图与封装图
暂无图片
替代型号EM6K33T2R
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： EM6K33T2R 品牌： ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装： SOT-563 N-CH 50V 0.2A | 当前型号 | EMT N-CH 50V 0.2A | 当前型号 |
| 型号： UM6K33NTN 品牌： 罗姆半导体 封装： 6-TSSOP Dual N-Channel | 功能相似 | 双 N 通道 MOSFET 晶体管，ROHM### MOSFET 晶体管，ROHM Semiconductor | EM6K33T2R和UM6K33NTN的区别 |