ECH8302-TL-E

P-沟道硅MOSFET通用开关设备应用特点•低导通电阻。•4V驱动器。

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| -30V \---|--- 最大栅源极电压Vgs±Gate-Source Voltage| 20V 最大漏极电流IdDrain Current| -7A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 48mΩ@ VGS = -4V, ID = -2A 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage| -1~-2.4V 耗散功率PdPower Dissipation| 1.6W Description & Applications| P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications Features • Low ON-resistance. • 4V drive. 描述与应用| P-沟道硅MOSFET 通用开关设备应用 特点 •低导通电阻。 •4V驱动器。

得捷:
MOSFET P-CH 30V 7A ECH8

Win Source:
MOSFET P-CH 30V 7A ECH8