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ES6U3T2CR
ROHM Semiconductor 罗姆半导体 分立器件
ES6U3T2CR中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 170 mΩ

耗散功率 800 mW

阈值电压 1 V

漏源击穿电压 30 V

上升时间 6 ns

输入电容Ciss 70pF @10VVds

下降时间 8 ns

工作温度Max 150 ℃

耗散功率Max 700mW Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-563-6

外形尺寸

封装 SOT-563-6

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Discontinued at Digi-Key

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

ES6U3T2CR引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
ES6U3T2CR ROHM Semiconductor 罗姆半导体 Trans MOSFET N-CH 30V ±1.4A 6Pin SOT-563T T/R 搜索库存