EMA6DXV5T1G中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -50.0 V
额定电流 -100 mA
极性 PNP
耗散功率 230 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 160 @5mA, 10V
最大电流放大倍数hFE 160
额定功率Max 230 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-553-5
外形尺寸
长度 1.7 mm
宽度 1.3 mm
高度 0.6 mm
封装 SOT-553-5
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Cut Tape CT
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
EMA6DXV5T1G引脚图与封装图
暂无图片
在线购买EMA6DXV5T1G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| EMA6DXV5T1G | ON Semiconductor 安森美 | 双极晶体管 - 预偏置 100mA 50V BRT PNP | 搜索库存 |
替代型号EMA6DXV5T1G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： EMA6DXV5T1G 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： SOT-553 PNP -50V -100mA | 当前型号 | 双极晶体管 - 预偏置 100mA 50V BRT PNP | 当前型号 |
| 型号： EMA6DXV5T1 品牌： 安森美 封装： SOT-553 PNP -50V -100mA | 完全替代 | 双共发射极偏置电阻晶体管PNP硅表面贴装晶体管与单片偏置电阻网络 Dual Common Emitter Bias Resistor Transistor PNP Silicon Surface Mount Transistors with Monolithic Bias Resistor Network | EMA6DXV5T1G和EMA6DXV5T1的区别 |
| 型号： DTA144WM3T5G 品牌： 安森美 封装： SOT723-3 PNP -50V -100mA 600mW | 功能相似 | 数字晶体管（ BRT ） PNP硅表面贴装晶体管与单片偏置电阻网络 Digital Transistors BRT PNP Silicon Surface Mount Transistors with Monolithic Bias Resistor Network | EMA6DXV5T1G和DTA144WM3T5G的区别 |