EMH4T2R
数据手册.pdf
ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
EMH4T2R中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 50.0 V
额定电流 100 mA
额定功率 0.15 W
极性 NPN
耗散功率 0.15 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 100 @1mA, 5V
最大电流放大倍数hFE 600
额定功率Max 150 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
增益带宽 250 MHz
耗散功率Max 150 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-563
外形尺寸
长度 1.6 mm
宽度 1.2 mm
高度 0.5 mm
封装 SOT-563
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
EMH4T2R引脚图与封装图
暂无图片
替代型号EMH4T2R
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： EMH4T2R 品牌： ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装： SOT-563 NPN 50V 100mA 0.15W | 当前型号 | NPN/NPN 50V 0.1A双偏置电阻晶体管 | 当前型号 |
| 型号： DDC114TH-7 品牌： 美台 封装： SOT-563 NPN 150mW | 类似代替 | 2 个 NPN 预偏压式双 100mA 50V | EMH4T2R和DDC114TH-7的区别 |
| 型号： NSBC114YDXV6T1G 品牌： 安森美 封装： SOT-563 NPN 50V 100mA 500mW | 功能相似 | 双NPN偏置电阻晶体管 Dual NPN Bias Resistor Transistors | EMH4T2R和NSBC114YDXV6T1G的区别 |
| 型号： NSBC114TDXV6T1G 品牌： 安森美 封装： SOT-563 N-Channel 50V 100mA 500mW | 功能相似 | 晶体管 双极预偏置/数字, 双路 NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm | EMH4T2R和NSBC114TDXV6T1G的区别 |