EMB6T2R
数据手册.pdf
ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
EMB6T2R中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -50.0 V
额定电流 -50.0 mA
极性 PNP
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 30mA
最小电流放大倍数hFE 68 @5mA, 5V
额定功率Max 150 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
增益带宽 250 MHz
耗散功率Max 150 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-563
外形尺寸
长度 1.6 mm
宽度 1.2 mm
高度 0.5 mm
封装 SOT-563
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
EMB6T2R引脚图与封装图
暂无图片
替代型号EMB6T2R
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： EMB6T2R 品牌： ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装： SOT-563 PNP -50V -50mA | 当前型号 | EMT PNP 50V 30mA | 当前型号 |
| 型号： EMB2T2R 品牌： 罗姆半导体 封装： SOT-563 PNP -50V -30mA | 类似代替 | 双极晶体管 - 预偏置 DUAL PNP 50V 30MA | EMB6T2R和EMB2T2R的区别 |
| 型号： DDA144EH-7 品牌： 美台 封装： SOT-563 150mW | 类似代替 | Trans Digital BJT PNP 100mA 6Pin SOT-563 T/R | EMB6T2R和DDA144EH-7的区别 |