EMD29T2R
数据手册.pdf
ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
EMD29T2R中文资料参数规格
技术参数
额定功率 0.12 W
极性 NPN+PNP
击穿电压集电极-发射极 50V, 12V
集电极最大允许电流 500mA
额定功率Max 120 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 150 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-563
外形尺寸
封装 SOT-563
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
EMD29T2R引脚图与封装图 
EMD29T2R引脚图
EMD29T2R封装图
EMD29T2R封装焊盘图
替代型号EMD29T2R
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： EMD29T2R 品牌： ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装： SOT-563 NPN PNP | 当前型号 | EMT NPN+PNP 50V 500mA | 当前型号 |
| 型号： EMF21T2R 品牌： 罗姆半导体 封装： SOT-563 NPN PNP 100mA | 类似代替 | EMT NPN+PNP 12V 100mA/500mA | EMD29T2R和EMF21T2R的区别 |
| 型号： DCX100NS-7 品牌： 美台 封装： SOT563 NPN+PNP 150mW | 功能相似 | 双极晶体管 - 预偏置 150mW R1+/-R2 R3=R4 Dual Complementary | EMD29T2R和DCX100NS-7的区别 |
| 型号： EMF21-7 品牌： 美台 封装： SOT-563 NPN+PNP 300mW | 功能相似 | Trans Digital BJT NPN/PNP 12V 100mA/1A 300mW 6Pin SOT-563 T/R | EMD29T2R和EMF21-7的区别 |