EMF21T2R

ROHM Semiconductor 罗姆半导体分立器件

EMT NPN+PNP 12V 100mA/500mA

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 50V, 12V 100mA, 500mA 250MHz, 260MHz 150mW Surface Mount EMT6

得捷:
TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.15W EMT6

贸泽:
Bipolar Transistors - Pre-Biased DUAL PNP/NPN

安富利:
Trans Digital BJT NPN/PNP 12V 100mA/500mA 6-Pin EMT T/R

Chip1Stop:
Trans Digital BJT NPN/PNP 12V 100mA/500mA 6-Pin EMT T/R

Win Source:
TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.15W EMT6

EMF21T2R中文资料参数规格

技术参数

额定电流 100 mA

通道数 2

极性 NPN+PNP

击穿电压集电极-发射极 50V, 12V

集电极最大允许电流 100mA/500mA

最小电流放大倍数hFE 30

额定功率Max 150 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 150 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-563

外形尺寸

长度 1.6 mm

宽度 1.2 mm

高度 0.5 mm

封装 SOT-563

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

EMF21T2R引脚图与封装图

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型号	制造商	描述	购买
EMF21T2R	ROHM Semiconductor 罗姆半导体	EMT NPN+PNP 12V 100mA/500mA	搜索库存

替代型号EMF21T2R

型号/品牌/封装	代替类型	描述	替代型号对比
型号： EMF21T2R 品牌： ROHM Semiconductor 罗姆半导体封装： SOT-563 NPN PNP 100mA	当前型号	EMT NPN+PNP 12V 100mA/500mA	当前型号
型号： EMD29T2R 品牌：罗姆半导体封装： SOT-563 NPN PNP	类似代替	EMT NPN+PNP 50V 500mA	EMF21T2R和EMD29T2R的区别
型号： DCX100NS-7 品牌：美台封装： SOT563 NPN+PNP 150mW	功能相似	双极晶体管 - 预偏置 150mW R1+/-R2 R3=R4 Dual Complementary	EMF21T2R和DCX100NS-7的区别
型号： EMF21-7 品牌：美台封装： SOT-563 NPN+PNP 300mW	功能相似	Trans Digital BJT NPN/PNP 12V 100mA/1A 300mW 6Pin SOT-563 T/R	EMF21T2R和EMF21-7的区别