EMF8T2R
数据手册.pdf
ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
EMF8T2R中文资料参数规格
技术参数
极性 NPN
击穿电压集电极-发射极 50V, 12V
集电极最大允许电流 500mA/100mA
额定功率Max 150 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-563
外形尺寸
封装 SOT-563
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Not For New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
EMF8T2R引脚图与封装图
暂无图片
替代型号EMF8T2R
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： EMF8T2R 品牌： ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装： SOT-563 NPN | 当前型号 | EMT NPN 12V 500mA/100mA | 当前型号 |
| 型号： UMF8NTR 品牌： 罗姆半导体 封装： 6-TSSOP NPN | 功能相似 | UMT NPN 12V 500mA/100mA | EMF8T2R和UMF8NTR的区别 |
| 型号： DDC114YUQ-7-F 品牌： 美台 封装： SOT-363 NPN 200mW | 功能相似 | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA Automotive 6Pin SOT-363 T/R | EMF8T2R和DDC114YUQ-7-F的区别 |
| 型号： UMH2N-TP-HF 品牌： 美微科 封装： | 功能相似 | NPN 50V 100mA | EMF8T2R和UMH2N-TP-HF的区别 |