EMH9T2R
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ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
EMH9T2R中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 50.0 V
额定电流 70.0 mA
额定功率 0.15 W
极性 NPN
耗散功率 0.15 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 68 @5mA, 5V
额定功率Max 150 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
增益带宽 250 MHz
耗散功率Max 150 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 EMT-6
外形尺寸
长度 1.6 mm
宽度 1.2 mm
高度 0.5 mm
封装 EMT-6
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
EMH9T2R引脚图与封装图 
EMH9T2R引脚图
EMH9T2R封装图
EMH9T2R封装焊盘图
在线购买EMH9T2R
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| EMH9T2R | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 晶体管 双极预偏置/数字, 双路 NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm, 0.2 电阻比率 | 搜索库存 |
替代型号EMH9T2R
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： EMH9T2R 品牌： ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装： EMT NPN 50V 70mA 0.15W | 当前型号 | 晶体管 双极预偏置/数字, 双路 NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm, 0.2 电阻比率 | 当前型号 |
| 型号： DDC114YH-7 品牌： 美台 封装： SOT-563 NPN 150mW | 功能相似 | 双极晶体管 - 预偏置 150MW 10K 47K | EMH9T2R和DDC114YH-7的区别 |
| 型号： BL0084M1M-DT 品牌： General Cable 封装： | 功能相似 | 8F MM 50 LT SJ OFNR IN/OUT | EMH9T2R和BL0084M1M-DT的区别 |