EMH15T2R
数据手册.pdf
ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
EMH15T2R中文资料参数规格
技术参数
极性 NPN
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 100 @1mA, 5V
额定功率Max 150 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
增益带宽 250 MHz
耗散功率Max 300 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-6
外形尺寸
封装 SOT-6
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
EMH15T2R引脚图与封装图
暂无图片
替代型号EMH15T2R
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： EMH15T2R 品牌： ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装： SOT-563 NPN | 当前型号 | EMT NPN 50V 100mA | 当前型号 |
| 型号： IMH4AT110 品牌： 罗姆半导体 封装： SOT-457 NPN 50V 100mA 0.3W | 功能相似 | 晶体管 双极预偏置/数字, 双路 NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm | EMH15T2R和IMH4AT110的区别 |
| 型号： UMH8NTR 品牌： 罗姆半导体 封装： SOT-363 NPN 50V 100mA 0.15W | 功能相似 | UMH8N 系列 50 V 100 mA 双 NPN 通用 数字 晶体管-SC-88 | EMH15T2R和UMH8NTR的区别 |