EMB51T2R
数据手册.pdf
ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
EMB51T2R中文资料参数规格
技术参数
额定功率 0.15 W
极性 PNP
耗散功率 150 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 60 @5mA, 10V
额定功率Max 150 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
增益带宽 250 MHz
耗散功率Max 150 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-563
外形尺寸
封装 SOT-563
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
EMB51T2R引脚图与封装图 
EMB51T2R引脚图
EMB51T2R封装图
EMB51T2R封装焊盘图