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EMG9T2R

EMG9T2R

数据手册.pdf
ROHM Semiconductor 罗姆半导体 分立器件

2个NPN-预偏置 100mA 50V

Features

1 Built-In Biasing Resistors, R1 = R2 = 10kW.

2 Two DTC114E chips in one package.

3 EmitterGND-common type.

4 Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit without connecting external input resistors see inner circuit.

5 The bias resistors consist of thin-film resistors with complete isolation to allow negative biasing of the input. They also have the advantage of completely eliminating parasitic effects.

6 Only the on/off conditions need to be set for operation, making the circuit design easy.

7 Lead Free/RoHS Compliant.

Application

  Inverter circuit, Interface circuit, Driver circuit

EMG9T2R中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 50.0 V

额定电流 50.0 mA

额定功率 0.15 W

极性 NPN

耗散功率 0.15 W

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 30 @5mA, 5V

额定功率Max 150 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

增益带宽 250 MHz

耗散功率Max 150 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 5

封装 SMD-6

外形尺寸

封装 SMD-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

EMG9T2R引脚图与封装图
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在线购买EMG9T2R
型号 制造商 描述 购买
EMG9T2R ROHM Semiconductor 罗姆半导体 2个NPN-预偏置 100mA 50V 搜索库存
替代型号EMG9T2R
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： EMG9T2R

品牌： ROHM Semiconductor 罗姆半导体

封装： 6-SMD NPN 50V 50mA

当前型号

2个NPN-预偏置 100mA 50V

当前型号

型号： FMG9AT148

品牌： 罗姆半导体

封装： SC-74A NPN 50V 50mA 300mW

类似代替

FMG9A 系列 50 V 100 mA 表面贴装 双 NPN/PNP 数字 晶体管 - SC-74A

EMG9T2R和FMG9AT148的区别

型号： UMG9NTR

品牌： 罗姆半导体

封装： SOT-353 NPN 50V 50mA 0.15W

类似代替

ROHM  UMG9NTR  双极晶体管阵列, 双路, NPN, 50 V, 150 mW, 100 mA, 30 hFE, SOT-353

EMG9T2R和UMG9NTR的区别

型号： RN1501TE85L

品牌： 东芝

封装： SMV NPN

功能相似

SMV NPN 50V 100mA

EMG9T2R和RN1501TE85L的区别