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EMH10T2R
ROHM Semiconductor 罗姆半导体 分立器件

EMT NPN 50V 100mA

Features

1 Two DTC123J chips in a EMT or UMT package.

2 Mounting possible with EMT3 or UMT3 automatic mounting machines.

3 Transistor elements are independent, eliminating interference.

4 Mounting cost and area can be cut in half.

Application

  INVERTER, INTERFACE, DRIVER


立创商城:
EMH10T2R


得捷:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6


艾睿:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW 6-Pin EMT T/R


安富利:
· Ultra-compact complex digital transistor · Built-In Biasing Resistors · Leak absorption type · Small Surface Mount Package · Pb Free/RoHS Compliant


Chip1Stop:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW 6-Pin EMT T/R


Verical:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW 6-Pin EMT T/R


Win Source:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6


DeviceMart:
TRANS DUAL NPN 50V 100MA EMT6


EMH10T2R中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 50.0 V

额定电流 100 mA

额定功率 0.15 W

极性 NPN

耗散功率 0.15 W

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 56 @5mA, 5V

额定功率Max 150 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

增益带宽 250 MHz

耗散功率Max 150 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-563

外形尺寸

封装 SOT-563

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

EMH10T2R引脚图与封装图
EMH10T2R引脚图

EMH10T2R引脚图

EMH10T2R封装图

EMH10T2R封装图

EMH10T2R封装焊盘图

EMH10T2R封装焊盘图

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型号 制造商 描述 购买
EMH10T2R ROHM Semiconductor 罗姆半导体 EMT NPN 50V 100mA 搜索库存
替代型号EMH10T2R
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: EMH10T2R

品牌: ROHM Semiconductor 罗姆半导体

封装: SOT-563 NPN 50V 100mA 0.15W

当前型号

EMT NPN 50V 100mA

当前型号

型号: DDC123JH-7

品牌: 美台

封装: SOT-563 NPN 150mW

功能相似

DDC123JH-7 编带

EMH10T2R和DDC123JH-7的区别