EMG8T2R
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ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
EMG8T2R中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 50.0 V
额定电流 100 mA
额定功率 0.15 W
极性 NPN
耗散功率 0.15 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 80 @10mA, 5V
额定功率Max 150 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
增益带宽 250 MHz
耗散功率Max 150 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 5
封装 SMD-6
外形尺寸
高度 0.45 mm
封装 SMD-6
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
EMG8T2R引脚图与封装图 
EMG8T2R引脚图
EMG8T2R封装图
EMG8T2R封装焊盘图
在线购买EMG8T2R
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| EMG8T2R | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | NPN 100毫安50V复杂的数字晶体管 NPN 100mA 50V Complex Digital Transistors | 搜索库存 |
替代型号EMG8T2R
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： EMG8T2R 品牌： ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装： 6-SMD NPN 50V 100mA 150mW | 当前型号 | NPN 100毫安50V复杂的数字晶体管 NPN 100mA 50V Complex Digital Transistors | 当前型号 |
| 型号： UMG11NTR 品牌： 罗姆半导体 封装： SOT-353 NPN 50V 100mA 0.15W | 类似代替 | UMT NPN 50V 100mA | EMG8T2R和UMG11NTR的区别 |
| 型号： EMG11T2R 品牌： 罗姆半导体 封装： 6-SMD NPN 50V 100mA | 类似代替 | EMG11 系列 50 100 mA 表面贴装 双 NPN 数字 晶体管 - EMT5 | EMG8T2R和EMG11T2R的区别 |
| 型号： RN1506TE85L 品牌： 东芝 封装： SMV NPN | 类似代替 | SMV NPN 50V 100mA | EMG8T2R和RN1506TE85L的区别 |