EMF5T2R
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ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
EMF5T2R中文资料参数规格
技术参数
额定电流 100 mA
额定功率 0.15 W
针脚数 6
极性 NPN+PNP
耗散功率 0.15 W
击穿电压集电极-发射极 50V, 12V
集电极最大允许电流 100mA/500mA
最小电流放大倍数hFE 270
额定功率Max 150 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 150 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-563
外形尺寸
长度 1.6 mm
宽度 1.2 mm
高度 0.5 mm
封装 SOT-563
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
EMF5T2R引脚图与封装图 
EMF5T2R引脚图
EMF5T2R封装图
EMF5T2R封装焊盘图
在线购买EMF5T2R
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| EMF5T2R | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 电源管理（双晶体管） Power management dual transistors | 搜索库存 |
替代型号EMF5T2R
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： EMF5T2R 品牌： ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装： SOT-563 NPN PNP 100mA 0.15W | 当前型号 | 电源管理（双晶体管） Power management dual transistors | 当前型号 |
| 型号： UMF5NTR 品牌： 罗姆半导体 封装： SOT-363 NPN 100mA 0.15W | 功能相似 | 双电阻器双数字 NPN+PNP 晶体管，ROHM### Digital Transistors, ROHMResistor-equipped bipolar transistors, also known as Digital Transistors or Bias Resistor Transistors, incorporating one or two integrated resistors. A single series input resistor, or a potential divider of two resistors, allows these devices to be directly driven from digital sources. Both single and dual transistor versions are available. | EMF5T2R和UMF5NTR的区别 |
| 型号： UMD5NTR 品牌： 罗姆半导体 封装： UMT NPN PNP | 功能相似 | UMT NPN+PNP 50V 100mA | EMF5T2R和UMD5NTR的区别 |
| 型号： EMD5T2R 品牌： 罗姆半导体 封装： EMT NPN PNP | 功能相似 | 双极晶体管 - 预偏置 DUAL PNP/NPN | EMF5T2R和EMD5T2R的区别 |