EMZ8T2R
数据手册.pdf
ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
EMZ8T2R中文资料参数规格
技术参数
额定功率 0.15 W
极性 NPN+PNP
耗散功率 0.15 W
击穿电压集电极-发射极 50V, 12V
集电极最大允许电流 0.15A/0.5A
额定功率Max 150 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 150 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-563
外形尺寸
封装 SOT-563
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
EMZ8T2R引脚图与封装图
暂无图片
替代型号EMZ8T2R
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： EMZ8T2R 品牌： ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装： SOT-563 NPN PNP | 当前型号 | EMT NPN+PNP 50V/12V 0.15A/0.5A | 当前型号 |
| 型号： EMZ1T2R 品牌： 罗姆半导体 封装： EMT NPN 50V 150mA 150mW | 功能相似 | ROHM EMZ1T2R 双极晶体管阵列, 双路, NPN, PNP, 50 V, 150 mW, 150 mA, 120 hFE, EMT | EMZ8T2R和EMZ1T2R的区别 |
| 型号： EMZ2T2R 品牌： 罗姆半导体 封装： SOT-563 NPN PNP 50V 150mA 150mW | 功能相似 | EMT NPN+PNP 50V 0.15A | EMZ8T2R和EMZ2T2R的区别 |