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EMD12T2R

EMD12T2R

数据手册.pdf
ROHM Semiconductor 罗姆半导体 分立器件

电源管理（双数字晶体管） Power management dual digital transistors

EMD12 Series 50 V 100 mA Surface Mount Dual NPN/PNP Digital Transistor - EMT-6


得捷:
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6


立创商城:
1个NPN,1个PNP-预偏置 100mA 50V


贸泽:
Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP/NPN 50V 30MA


e络盟:
晶体管 双极预偏置/数字, NPN和PNP执行, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm


艾睿:
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW 6-Pin EMT T/R


安富利:
Trans Digital BJT NPN/PNP 100mA 6-Pin EMT T/R


Chip1Stop:
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW 6-Pin EMT T/R


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力源芯城:
NPN/PNP 50V 0.1A双偏置电阻晶体管


Win Source:
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6


EMD12T2R中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 50.0 V

额定电流 30.0 mA

额定功率 0.15 W

极性 N-Channel, P-Channel

耗散功率 0.15 W

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 68 @5mA, 5V

额定功率Max 150 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

增益带宽 250 MHz

耗散功率Max 150 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 EMT-6

外形尺寸

长度 1.6 mm

宽度 1.2 mm

高度 0.5 mm

封装 EMT-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

EMD12T2R引脚图与封装图
EMD12T2R引脚图

EMD12T2R引脚图

EMD12T2R封装图

EMD12T2R封装图

EMD12T2R封装焊盘图

EMD12T2R封装焊盘图

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型号 制造商 描述 购买
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替代型号EMD12T2R
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： EMD12T2R

品牌： ROHM Semiconductor 罗姆半导体

封装： SOT-563 N-Channel 50V 30mA 0.15W

当前型号

电源管理（双数字晶体管） Power management dual digital transistors

当前型号

型号： DCX144EH-7

品牌： 美台

封装： SOT-563 NPN+PNP 150mW

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