频率 140 MHz
额定电压DC -50.0 V
额定电流 -150 mA
极性 PNP, P-Channel
耗散功率 150 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 0.15A
最小电流放大倍数hFE 120 @1mA, 6V
最大电流放大倍数hFE 120 @1mA, 6V
额定功率Max 150 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 150 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-563
长度 1.6 mm
宽度 1.2 mm
高度 0.5 mm
封装 SOT-563
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Not For New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
ECCN代码 EAR99
EMT2T2R引脚图
EMT2T2R封装图
EMT2T2R封装焊盘图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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EMT2T2R | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT DUAL PNP 50V 150MA | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: EMT2T2R 品牌: ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装: SOT-563 PNP -50V -150mA 150mW | 当前型号 | 双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT DUAL PNP 50V 150MA | 当前型号 | |
型号: EMT1T2R 品牌: 罗姆半导体 封装: EMT PNP -50V -150mA 150mW | 类似代替 | ROHM EMT1T2R 双极晶体管阵列, PNP, -50 V, 150 mW, -150 mA, 120 hFE, EMT | EMT2T2R和EMT1T2R的区别 | |
型号: EMT3T2R 品牌: 罗姆半导体 封装: SOT-563 PNP -50V -150mA 150mW | 类似代替 | EMT PNP 50V 0.15A | EMT2T2R和EMT3T2R的区别 | |
型号: PCF7961MTT/D1AC13J 品牌: 恩智浦 封装: | 功能相似 | RFID应答器 IC REMOTE KEYLESS ENTRY | EMT2T2R和PCF7961MTT/D1AC13J的区别 |