频率 180 MHz
额定电压DC 50.0 V
额定电流 150 mA
极性 N-Channel, NPN
耗散功率 150 mW
增益频宽积 180 MHz
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 0.15A
最小电流放大倍数hFE 120 @1mA, 6V
最大电流放大倍数hFE 560
额定功率Max 150 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 150 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 EMT-6
长度 1.6 mm
宽度 1.2 mm
高度 0.5 mm
封装 EMT-6
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
ECCN代码 EAR99
EMX2T2R引脚图
EMX2T2R封装图
EMX2T2R封装焊盘图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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EMX2T2R | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | EMX2 系列 50 V 150 mA 表面贴装 双 NPN 数字晶体管 - EMT-6 | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: EMX2T2R 品牌: ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装: SOT-563 N-Channel 50V 150mA 150mW | 当前型号 | EMX2 系列 50 V 150 mA 表面贴装 双 NPN 数字晶体管 - EMT-6 | 当前型号 | |
型号: UMX1NTN 品牌: 罗姆半导体 封装: SOT-363 NPN 50V 150mA 150mW | 类似代替 | ROHM UMX1NTN 双极晶体管阵列, 双路, NPN, 50 V, 150 mW, 150 mA, 120 hFE, SOT-363 | EMX2T2R和UMX1NTN的区别 | |
型号: BC847PN-7-F 品牌: 美台 封装: SOT-363 NPN 200mW | 功能相似 | BC847PN 系列 NPN/PNP 45 V 200 mW 小信号 晶体管 表面贴装-SOT-363 | EMX2T2R和BC847PN-7-F的区别 |