EMX4T2R

ROHM Semiconductor 罗姆半导体分立器件

EMX4 系列 20 V 50 mA 表面贴装双 NPN 高转换频率晶体管 - EMT-6

Bipolar BJT Transistor Array 2 NPN Dual 20V 1.5GHz 150mW Surface Mount

得捷:
TRANS 2NPN 20V 0.05A 6EMT

安富利:
Trans GP BJT NPN 20V 0.05A 6-Pin EMT T/R

Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 20V 0.05A 6-Pin EMT T/R

DeviceMart:
TRANS DUAL NPN 30V 50MA EMT6

EMX4T2R中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 18.0 V

额定电流 50.0 mA

极性 N-Channel, NPN

耗散功率 150 mW

击穿电压集电极-发射极 20 V

集电极最大允许电流 0.05A

最小电流放大倍数hFE 56 @10mA, 10V

额定功率Max 150 mW

耗散功率Max 150 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-563

外形尺寸

封装 SOT-563

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

EMX4T2R引脚图与封装图

EMX4T2R引脚图

EMX4T2R封装图

EMX4T2R封装焊盘图

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