EMX52T2R

ROHM Semiconductor 罗姆半导体分立器件

EMT NPN 50V 0.1A

Bipolar BJT Transistor Array 2 NPN Dual 50V 100mA 350MHz 150mW Surface Mount

得捷:
TRANS 2NPN 50V 0.1A EMT6

贸泽:
Bipolar Transistors - BJT

艾睿:
Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 6-Pin EMT T/R

安富利:
Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 6-Pin SOT-563 T/R

Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 6-Pin EMT T/R

EMX52T2R中文资料参数规格

技术参数

额定功率 0.15 W

极性 NPN

耗散功率 150 mW

增益频宽积 350 MHz

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 0.1A

最小电流放大倍数hFE 120 @1mA, 6V

最大电流放大倍数hFE 560 @1mA, 6V

额定功率Max 150 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 150 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-563-6

外形尺寸

封装 SOT-563-6

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

EMX52T2R引脚图与封装图

EMX52T2R引脚图

EMX52T2R封装图

EMX52T2R封装焊盘图

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