EMT1T2R
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ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
EMT1T2R中文资料参数规格
技术参数
频率 140 MHz
额定电压DC -50.0 V
额定电流 -150 mA
额定功率 0.15 W
针脚数 6
极性 PNP
耗散功率 150 mW
增益频宽积 140 MHz
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 0.15A
最小电流放大倍数hFE 120 @1mA, 6V
最大电流放大倍数hFE 560
额定功率Max 150 mW
直流电流增益hFE 120
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 150 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 EMT-6
外形尺寸
长度 1.6 mm
宽度 1.2 mm
高度 0.5 mm
封装 EMT-6
物理参数
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
海关信息
ECCN代码 EAR99
EMT1T2R引脚图与封装图 
EMT1T2R引脚图
EMT1T2R封装图
EMT1T2R封装焊盘图
在线购买EMT1T2R
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| EMT1T2R | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | ROHM EMT1T2R 双极晶体管阵列, PNP, -50 V, 150 mW, -150 mA, 120 hFE, EMT | 搜索库存 |
替代型号EMT1T2R
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： EMT1T2R 品牌： ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装： EMT PNP -50V -150mA 150mW | 当前型号 | ROHM EMT1T2R 双极晶体管阵列, PNP, -50 V, 150 mW, -150 mA, 120 hFE, EMT | 当前型号 |
| 型号： EMT2T2R 品牌： 罗姆半导体 封装： SOT-563 PNP -50V -150mA 150mW | 类似代替 | 双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT DUAL PNP 50V 150MA | EMT1T2R和EMT2T2R的区别 |
| 型号： EMT3T2R 品牌： 罗姆半导体 封装： SOT-563 PNP -50V -150mA 150mW | 类似代替 | EMT PNP 50V 0.15A | EMT1T2R和EMT3T2R的区别 |