额定电压DC 50.0 V
额定电流 150 mA
额定功率 0.15 W
极性 NPN+PNP
耗散功率 150 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 0.15A
最小电流放大倍数hFE 120 @1mA, 6V
最大电流放大倍数hFE 560
额定功率Max 150 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 150 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 EMT-6
长度 1.6 mm
宽度 1.2 mm
高度 0.5 mm
封装 EMT-6
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: EMZ2T2R 品牌: ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装: SOT-563 NPN PNP 50V 150mA 150mW | 当前型号 | EMT NPN+PNP 50V 0.15A | 当前型号 | |
型号: EMZ1T2R 品牌: 罗姆半导体 封装: EMT NPN 50V 150mA 150mW | 类似代替 | ROHM EMZ1T2R 双极晶体管阵列, 双路, NPN, PNP, 50 V, 150 mW, 150 mA, 120 hFE, EMT | EMZ2T2R和EMZ1T2R的区别 | |
型号: EMZ8T2R 品牌: 罗姆半导体 封装: SOT-563 NPN PNP | 功能相似 | EMT NPN+PNP 50V/12V 0.15A/0.5A | EMZ2T2R和EMZ8T2R的区别 |