EL817SATD-VG
数据手册.pdf
Everlight Electronics
亿光
电子元器件分类
EL817SATD-VG中文资料参数规格
技术参数
上升/下降时间 6µs, 8µs
通道数 1
正向电压 1.2 V
耗散功率 200 mW
上升时间 6 µs
隔离电压 5000 Vrms
正向电流 60 mA
输出电压Max 80 V
正向电压Max 1.4 V
正向电流Max 60 mA
下降时间 8 µs
下降时间Max 18 µs
上升时间Max 18 µs
工作温度Max 110 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 200 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 SMD-4
外形尺寸
高度 3.5 mm
封装 SMD-4
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 110℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
EL817SATD-VG引脚图与封装图
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在线购买EL817SATD-VG
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| EL817SATD-VG | Everlight Electronics 亿光 | Optocoupler DC-IN 1CH Transistor DC-OUT 4Pin DIP SMD T/R | 搜索库存 |
替代型号EL817SATD-VG
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： EL817SATD-VG 品牌： Everlight Electronics 亿光 封装： 4-SMD | 当前型号 | Optocoupler DC-IN 1CH Transistor DC-OUT 4Pin DIP SMD T/R | 当前型号 |
| 型号： EL817S1ATU-V 品牌： 亿光 封装： 4-SMD | 类似代替 | Optocoupler DC-IN 1CH Transistor DC-OUT 4Pin PDIP SMD T/R | EL817SATD-VG和EL817S1ATU-V的区别 |
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