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EGP10F-TP

DIODE GEN PURP 300V 1A DO41

Diode Standard 300V 1A Through Hole DO-41


得捷:
DIODE GEN PURP 300V 1A DO41


EGP10F-TP中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 300 V

额定电流 1.00 A

电容 15.0 pF

输出电流 ≤1.00 A

正向电压 1.25V @1A

极性 Standard

反向恢复时间 50 ns

正向电压Max 1.25V @1A

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 DO-41

外形尺寸

封装 DO-41

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准

含铅标准 无铅

EGP10F-TP引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
EGP10F-TP Micro Commercial Components 美微科 DIODE GEN PURP 300V 1A DO41 搜索库存
替代型号EGP10F-TP
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: EGP10F-TP

品牌: Micro Commercial Components 美微科

封装: DO-41 300V 1A

当前型号

DIODE GEN PURP 300V 1A DO41

当前型号

型号: EGP10F

品牌: 安森美

封装: Axial

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