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ELJ-NA1R8JF

ELJ-NA1R8JF

数据手册.pdf
Panasonic(松下) 被动器件

Inductor High Frequency Chip Wirewound 1.8uH 5% 1MHz 13Q-Factor Ferrite 110mA 3Ω DCR 1210 T/R

1.8 µH 无屏蔽 绕线 器 110 mA 3 欧姆最大 1210(3225 公制)


得捷:
FIXED IND 1.8UH 110MA 3 OHM SMD


贸泽:
Fixed Inductors 1210 1.8uH 5% 110 mA 3ohm Wirewound


艾睿:
Inductor High Frequency Chip Wirewound 1.8uH 5% 1MHz 13Q-Factor Ferrite 110mA 3Ohm DCR 1210 T/R


Win Source:
1.8μH Unshielded Wirewound Inductor 110mA 3 Ohm Max 1210 3225 Metric


ELJ-NA1R8JF中文资料参数规格
技术参数

额定电流 110 mA

容差 ±5 %

电感 1.8 μH

自谐频率 85 MHz

Q值 13.0

屏蔽 No

电感公差 ±5 %

测试频率 7.96 MHz

电阻DC) ≤3 Ω

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min 20 ℃

电阻DC Max 3 Ω

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 2

封装公制 3225

封装 1210

外形尺寸

长度 3.2 mm

宽度 2.5 mm

高度 2.2 mm

封装公制 3225

封装 1210

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

ELJ-NA1R8JF引脚图与封装图
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在线购买ELJ-NA1R8JF
型号 制造商 描述 购买
ELJ-NA1R8JF Panasonic 松下 Inductor High Frequency Chip Wirewound 1.8uH 5% 1MHz 13Q-Factor Ferrite 110mA 3Ω DCR 1210 T/R 搜索库存
替代型号ELJ-NA1R8JF
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: ELJ-NA1R8JF

品牌: Panasonic 松下

封装: 1210 1.8uH 85MHz

当前型号

Inductor High Frequency Chip Wirewound 1.8uH 5% 1MHz 13Q-Factor Ferrite 110mA 3Ω DCR 1210 T/R

当前型号

型号: CM322522-1R8JL

品牌: 伯恩斯

封装: 1210 1.8uH 350mA

功能相似

1210 1.8uH ±5% 350mA

ELJ-NA1R8JF和CM322522-1R8JL的区别