ELJ-NA82NMF
数据手册.pdfPanasonic(松下)
被动器件
ELJ-NA82NMF中文资料参数规格
技术参数
额定电流 380 mA
容差 ±20 %
电感 82 nH
自谐频率 500 MHz
Q值 10.0
屏蔽 No
电感公差 ±20 %
测试频率 100 MHz
电阻DC） ≤270 mΩ
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 2
封装公制 3225
封装 1210
外形尺寸
长度 3.2 mm
宽度 2.5 mm
高度 2.2 mm
封装公制 3225
封装 1210
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Cut Tape CT
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
ELJ-NA82NMF引脚图与封装图
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在线购买ELJ-NA82NMF
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| ELJ-NA82NMF | Panasonic 松下 | Inductor High Frequency Chip Wirewound 82nH 20% 100MHz 10Q-Factor Ferrite 380mA 270mOhm DCR 1210 T/R | 搜索库存 |
替代型号ELJ-NA82NMF
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： ELJ-NA82NMF 品牌： Panasonic 松下 封装： 1210 82nH 500MHz | 当前型号 | Inductor High Frequency Chip Wirewound 82nH 20% 100MHz 10Q-Factor Ferrite 380mA 270mOhm DCR 1210 T/R | 当前型号 |
| 型号： IMC1210ER82NM 品牌： 威世达勒 封装： 1210 82nH 900MHz 450mA | 功能相似 | Ind Chip Molded Wirewound 82nH 20% 50MHz 30Q-Factor 450mA 1210 T/R | ELJ-NA82NMF和IMC1210ER82NM的区别 |
| 型号： IMC1210SY82NM 品牌： 威世达勒 封装： 1210 82nH 900MHz 450mA | 功能相似 | Ind Chip Molded Wirewound 82nH 20% 50MHz 30Q-Factor 450mA 1210 T/R | ELJ-NA82NMF和IMC1210SY82NM的区别 |
| 型号： IMC1210BN82NM 品牌： 威世达勒 封装： 1210 | 功能相似 | Ind Chip Molded Wirewound 82nH 20% 50MHz 30Q-Factor 450mA 1210 Bulk | ELJ-NA82NMF和IMC1210BN82NM的区别 |