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ESR18EZPJ514

ESR18EZPJ514

数据手册.pdf
ROHM Semiconductor 罗姆半导体 被动器件

1206 外壳 510 KOhm 5% 容差 200 PPM

510 kOhms ±5% 0.5W,1/2W 芯片 1206(3216 公制) 汽车级 AEC-Q200,防脉冲 厚膜


得捷:
RES SMD 510K OHM 5% 1/2W 1206


欧时:
anti-surge chip Resistor 5% 1206 510kO


贸泽:
Thick Film Resistors - SMD 1206 510Kohm 5% Anti Surge AEC-Q200


安富利:
RES ANTI-SURGE 1206 510K OHM 1/3W 5% SMD


立创商城:
510kΩ ±5% 500mW


ESR18EZPJ514中文资料参数规格
技术参数

容差 ±5 %

额定功率 0.333 W

产品系列 ESR

电阻 510 kΩ

阻值偏差 ±5 %

封装参数

封装公制 3216

封装 1206

外形尺寸

长度 3.2 mm

宽度 1.6 mm

高度 0.55 mm

封装公制 3216

封装 1206

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 155℃

温度系数 ±200 ppm/℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

最小包装 5000

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

ESR18EZPJ514引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
ESR18EZPJ514 ROHM Semiconductor 罗姆半导体 1206 外壳 510 KOhm 5% 容差 200 PPM 搜索库存
替代型号ESR18EZPJ514
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: ESR18EZPJ514

品牌: ROHM Semiconductor 罗姆半导体

封装: 12063216 510Kohms 5per

当前型号

1206 外壳 510 KOhm 5% 容差 200 PPM

当前型号

型号: ESR18EZPF5103

品牌: 罗姆半导体

封装: 1206

功能相似

RES SMD 510KΩ 1% 1/3W 1206

ESR18EZPJ514和ESR18EZPF5103的区别