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ESR18EZPJ114

ESR18EZPJ114

数据手册.pdf
ROHM Semiconductor 罗姆半导体 被动器件

1206 110kΩ ±5%

110 kOhms ±5% 0.5W,1/2W 芯片 1206(3216 公制) 汽车级 AEC-Q200,防脉冲 厚膜


欧时:
anti-surge chip Resistor 5% 1206 110kO


立创商城:
110kΩ ±5% 500mW


得捷:
RES SMD 110K OHM 5% 1/2W 1206


ESR18EZPJ114中文资料参数规格
技术参数

容差 ±5 %

额定功率 0.333 W

产品系列 ESR

电阻 110 kΩ

阻值偏差 ±5 %

封装参数

封装公制 3216

封装 1206

外形尺寸

长度 3.2 mm

宽度 1.6 mm

封装公制 3216

封装 1206

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 155℃

温度系数 ±200 ppm/℃

其他

产品生命周期 Active

最小包装 5000

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

ESR18EZPJ114引脚图与封装图
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替代型号ESR18EZPJ114
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: ESR18EZPJ114

品牌: ROHM Semiconductor 罗姆半导体

封装: 12063216 110Kohms 5per

当前型号

1206 110kΩ ±5%

当前型号

型号: ESR18EZPF1103

品牌: 罗姆半导体

封装: 1206 110KΩ 0.33W1/3W ±1%

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1206 110kΩ ±1% 0.33W ±100ppm/℃

ESR18EZPJ114和ESR18EZPF1103的区别