
E-L6385D013TR中文资料参数规格
技术参数
电源电压DC 17.0V max
上升/下降时间 50ns, 30ns
输出接口数 2
耗散功率 750 mW
下降时间Max 30 ns
上升时间Max 50 ns
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -45 ℃
耗散功率Max 750 mW
电源电压 17 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 125℃
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Cut Tape CT
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
E-L6385D013TR引脚图与封装图
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型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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E-L6385D013TR | ST Microelectronics 意法半导体 | 门驱动器 Hi-Volt Hi-Low Side | 搜索库存 |
替代型号E-L6385D013TR
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: E-L6385D013TR 品牌: ST Microelectronics 意法半导体 封装: Surface 17V 8Pin | 当前型号 | 门驱动器 Hi-Volt Hi-Low Side | 当前型号 |